

Primo AD-RIE ? 是糖果派对网站第二代電介質刻蝕產品。 基於已被認可的Primo D-RIE ? 刻蝕設備,Primo AD-RIE應用了拥有自主知識產權的新設計,配備了可切換雙低頻射頻源,優化了上電極氣流分佈以及下電極溫控系統。 為了優化生產效能,Primo AD-RIE系統同樣能够靈活地裝置多達三個雙反應臺反應腔(即六個反應臺)。 Primo AD-RIE具備可能滿足新一代晶片器件製造需要的先進效力,現時已被廣泛應用於40到14納米後段造程。
此表,糖果派对网站基於Primo AD-RIE開發了子系列產品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-cr。 Primo AD-RIE-e配備了自主研發的四區動態靜電吸盤,每一造程步驟可獨立進行控溫,以達到更高的刻蝕均勻度和刻蝕選擇比,現時已應用於5納米前段和中段的掩膜層刻蝕的開發及量產。 Primo AD-RIE-cr配備了擁有自主知識產權塗層科技的抗腐蝕反應腔,可應對電介質資料、金屬及金屬氧化物資料複雜結構的刻蝕要求。

為40到7納米晶片製造提供創新的刻蝕解決规划
雙反應臺腔體設計拥有更高的產出效能
雙低頻功率切換系統,用於造程分步驟優化
脈衝射頻系統選項
多區氣體分配調節系統
靜電吸盤雙區冷卻裝置
低金屬传染工藝組件選項
每一步驟可獨立進行控溫的四區動態靜電吸盤(Primo AD-RIE-e)
擁有自主知識產權塗層科技的抗腐蝕反應腔(Primo AD-RIE-cr)
一體綜合的除膠能力及表表電荷减除能力(Primo iDEA ? 系統)
雙低頻率分步驟切換系統,以適用於更廣的造程範圍(特別是Trench/Via All-in-one造程)
優异的工藝可調性和穩定性,以滿足先進工藝標準
高生產效能,低生產成本(CoO)
擴展機型Primo AD-RIE-e,Primo AD-RIE-cr和Primo iDEA ?, 可應用於分歧特
